- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/425 - Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
Détention brevets de la classe H01L 21/425
Brevets de cette classe: 533
Historique des publications depuis 10 ans
|
45
|
47
|
36
|
10
|
10
|
9
|
11
|
17
|
7
|
5
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
34 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
28 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
26 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1282 |
25 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
16 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
12 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 4750 |
12 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
11 |
| Denso Corporation | 23338 |
9 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
9 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 35384 |
9 |
| Infineon Technologies Austria AG | 1954 |
8 |
| Tamura Corporation | 350 |
8 |
| Toyota Motor Corporation | 28582 |
7 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
7 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
7 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5132 |
6 |
| Advanced ION Beam Technology, Inc. | 72 |
6 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
6 |
| Autres propriétaires | 273 |